应用于太阳电池的单晶硅上化学镀镍工艺

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研究了在P型单晶硅上扩散的N区发射极上选择性化学镀镍工艺，获得了较为优化的化学镀工艺过程，
得到了均匀致密的镀层。其中针对单晶硅表面的特点，采取了浓酸浸泡和I-IF处理以及氯化钯的活化方法，使得镀
层质量得以提高。进行了合金化处理温度对合金层的电阻率影响的研究，结果发现在M气氛下330。C的热处理将
会促进具有最低方块电阻的Ni．si合金的形成。在方块电阻为45叫口的发射极上，化学镀后得到了方块电阻为
刎口的Ni-Si合金层。