单晶硅表面贵金属晶粒层的制备.pdf

ericqian

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摘要　　将预处理过的单晶硅p-Si(100)浸入含贵金属盐的HF溶液，制备了Ag，Au，Pd和Pt的晶粒层．用原子力显微镜
(AFM)、开路电位(ocP)、循环伏安(CV)和交流阻抗(A．c．Impedance)方法对晶粒层性能进行了考察．形貌显示，在浸镀
20 s后，Ag和Pd晶粒层基本上覆盖了硅基底，Ag颗粒致密，Pd颗粒之间仍有空隙且晶粒较Ag大．Au晶粒层部分覆盖
了基底，而Pt只有极少数的晶粒．60 S后，Ag，Pd和Au晶粒层都完全覆盖了基底，而Pt晶粒仍然较少，但晶粒有所长
大．循环伏安显示，Pd的溶出峰电流比Ag，Au，Pt高1个数量级．交流阻抗测量表明，Pd晶粒层阻抗最小．结果表明，A岛
Pd和Au都能用浸入沉积的方法在单晶硅上短时间内制备出晶粒层，而Pt不能，选用哪种晶粒层，需要根据后续工序
和实际需要而定．
关键词　　单晶硅；贵金属；晶粒层；浸入沉积